第六届全国宽禁带半导体学术会议胜利闭幕
8月11-12日，第六届全国宽禁带半导体学术会议在大连召开。本次会议由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会主办。大连理工大学、东北师范大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟承办。大会以“绿色能源与智能时代的宽禁带半导体技术”为主题
宽禁带半导体
第六届全国宽禁带半导体学术会议在大连举行
8月11日，作为我国宽禁带半导体领域的行业盛会——第六届全国宽禁带半导体学术会议在大连开幕。大会以“绿色能源与智能时代的宽禁带半导体技术”为主题，来自国内宽禁带半导体领域学术界、产业界的专家学者、科研技术人员、院校师生、企业家代表参与交流与研讨。
对话罗姆技术专家，聊聊宽禁带半导体技术革新与产业变革
在全球能源转型与电子产业升级的双重驱动下，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体正成为功率器件领域的战略制高点，重塑着从能源转换到电力驱动的未来图景。SiC与GaN之所以被称为“宽禁带”，源于其材料本身具有远高于硅（Si）的禁带宽度。这带来了
宽禁带半导体研究前沿
一周晶体前沿，一周一期介绍国际权威期刊近期刊发的晶体类精选论文。为方便广大读者浏览，我们已将其摘要译成中文。本期推出由哈尔滨工业大学宋波教授精心整理的关于宽禁带半导体研究前沿。
【联盟动态】宽禁带半导体大讲堂 第五期 成功举办！
5月13日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、是德科技(中国)有限公司、机械工业出版社、中国电工技术学会科技传播与出版专委会联合主办的“宽禁带半导体大讲堂第五期——如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战，领航器件新发展？”在机械工业出版社融媒体中心成功举办